產(chǎn)品列表PRODUCTS LIST

聯(lián)系信息

  • 電話:
    029-88231631
  • 傳真:
    029-88231651
首頁 > 技術與支持 > 低功率IGBT在電子鎮(zhèn)流器中的應用實例
低功率IGBT在電子鎮(zhèn)流器中的應用實例
點擊次數(shù):3015 更新時間:2017-12-27

低功率IGBT在電子鎮(zhèn)流器中的應用實例

低功率IGBT作為電子鎮(zhèn)流器中的開關器件,具有廣闊的應用前景。用IGBT作為功率開關的低成本CFL 電子鎮(zhèn)流器電路如圖1所示。脈沖變壓器(用磁環(huán)線制)T1提供正反饋驅(qū)動IGBT,IGBT 驅(qū)動電路中的R、VD、C 元器件用作改善功率器件的動態(tài)能。VD1可采用1N4148小信號速開關二管。L1(3.9mH)和C5(4.7nF)組成串聯(lián)諧振電路。在半橋逆變器電路產(chǎn)生振蕩之后,LC 串聯(lián)電路發(fā)生諧振,在C兩端產(chǎn)生一個600~1000V的壓脈沖施加于燈管,將燈啟動點燃。在燈管引燃正常工作時,電感己只起限流作用。

IGBT為開關的低成本CFL 電子鎮(zhèn)流器電路 

圖1 IGBT為開關的低成本CFL 電子鎮(zhèn)流器電路

  采用MUR180構成壓速自振蕩半橋驅(qū)動器驅(qū)動,并用IGBT作為開關的CFL電子鎮(zhèn)流器電路如圖2所示。在圖2中,L2、C10組成EMI濾波電路,C1為平滑濾波電容器,R3和C7分別為IC1( MUR180)的VCC啟動元件,VD1和C4分別為自舉二管的自舉電容。IC1振蕩器頻率由R5和C5的數(shù)值決定(一般頻率設定于35 ~45kHz)。R6(5.6kΩ)為PTC熱敏元件,用作燈陰預熱,其特優(yōu)劣,直接關系到預熱啟動效果。只有能夠同時陰預熱電流、預熱時間和開路三種要求,才能實現(xiàn)熒光燈電子鎮(zhèn)流器陰預熱啟動的規(guī)定,在室溫下的阻值較小,輸出電流通過燈絲和R6、C2及C5支路,不能產(chǎn)生一個電壓使燈管擊穿。約經(jīng)1 ~2s后,流過R6的電流使其溫度達130℃左右,呈阻斷狀態(tài),燈絲加熱電流只能通過C5(4700pF),于是導致L1與C5發(fā)生串聯(lián)諧振,在C5上產(chǎn)生一個足夠的電壓施加在燈管兩端,將燈啟動點燃。

IGBT作為開關的CFL電子鎮(zhèn)流器電路 

圖2 IGBT作為開關的CFL電子鎮(zhèn)流器電路

  對于圖1、圖2所示的CFL電子鎮(zhèn)流器電路,存在一個缺點,即輸入電流諧波含量過GB/T15144 (1994)和GB/T17263 (1998)等產(chǎn)品的*,功率因數(shù)約0.6。為克服這一弊端,可以采用功率因數(shù)校正( PFC)電路。用MC34262作為器和采用IGBT作為開關的升壓式功率因數(shù)校正(PFC)變換器如圖3所示。在橋式整流器和22μF/450V的電容器之間,增設PFC預調(diào)整器后,不可使功率因數(shù)提到0.99,得到與交流輸入電壓同相位的正弦波交流電流,而且在交流電壓從185V~ 265V變化時,可得到穩(wěn)定的400V直流輸出電壓。

IGBT作為開關的低成本功率因數(shù)校正電   

圖3 IGBT作為開關的低成本功率因數(shù)校正電

 
  與PowerLuxTM IGBT相當?shù)漠a(chǎn)品有德ZETEX公司的ZCN054DE的主要參數(shù)指標是:UCE≥450V,UCE=±20V,UCE(SAT)≥3V,UCE(th)=1~3V,IC=0.32A,脈沖集電電流ICM=2A,f=100kHz,PowerLuxTM IGBT和ZCN054還可以在3W左右的離線回掃式電池充電器初電路中用作開關。